Herzlich Willkommen beim beam-Verlag in Marburg, dem Fachverlag für anspruchsvolle Elektronik-Literatur.


Wir freuen uns, Sie auf unserem ePaper-Kiosk begrüßen zu können.

Aufrufe
vor 5 Jahren

1-2012

  • Text
  • Bild
  • Microwave
  • Mischer
  • Wireless
  • Schwarz
  • Phasenrauschen
  • Measurement
  • Output
  • Messungen
  • Software
  • Mikrowellentechnik
HF-Praxis 1/2012

Bauelemente

Bauelemente Inertial-Messsystem mit integriertem GPS und Kalman-Filter Ab sofort vertreibt ZSE den neuen Inertial-Sensor 3DM- GX3-45 mit integriertem GPS- Empfänger und Onboard-Kalman-Filter von MicroStrain: Das kleinste GPS-gestützte GPS/ INS-Miniatur-Inertial-Navigationssystem sorgt für die optimale Bestimmung von Position, Geschwindigkeit und Richtung. Die Abmessungen von nur 44x24x14 mm 3 bei einem Eigengewicht von nur 23 g garantieren ein Maximum an Anwendungsmöglichkeiten. Alle Inertial- Daten sind über den gesamten Betriebstemperaturbereich von -40 bis +65 °C voll temperaturkompensiert und kalibriert bezüglich Sensor-Fehlausrichtung, Gyro-G-Empfindlichkeit und Gyro-Nichtlinearität. Der Sensor bietet eine verbesserte Navigationsleistung unter Vibrationseinfluss durch die hohe Abtastrate von 30 kHz und digitale Filterung inkl. Skalierung in physikalische Maßeinheiten. Die Coning- und Sculling-Integrale werden mit 1 kHz berechnet. Der hochempfindliche GPS- Empfänger liefert neben den Positionsangaben ein präzises UTC-Timing, mit dem auch die Inertial-Daten verknüpft sind. Somit lassen sich die Messwerte von mehreren 3DM-GX3-45- GPS/INSs ohne Aufwand korrelieren. Zum Anschluss an den Host bietet der 3DM-GX3-45 je eine RS-232 und eine USB-2.0- Schnittstelle – durch integrierte USB-Transceiver auch ohne USB-Adapter im Kabel! Das neue MicroStrain Inertial Packet Protocol (MIPP) erlaubt die individuelle Einstellung der Übertragungsrate für jede Signalart bis max. 1.000 Hz im Continous-Mode. Der 3DM-GX3-45 bietet eine breite Palette von navigationsbezogenen Ausgangsgrößen, darunter geschätzte Position, Geschwindigkeit und Richtung (PVA), Positions-, Geschwindigkeits- und Richtungs-Unsicherheit, biaskompensierte Drehraten sowie lineare Beschleunigungen oder Korrekturdaten für die lokale Gravitation und Deklination nach WGS84 und World Magnetic Model (WMM2010). Die Ausgangsdaten, wie Euler- Winkel, Pitch, Roll, Heading (Yaw), Rotations-Matrix, Delta- Winkel und -Geschwindigkeit, Beschleunigung und Winkelrate, Magnetfeld und GPS-Daten können aber auch gezielt als Datenpaket einzeln abgefragt werden. Der 3DM-GX3-45 ist in Versionen mit verschiedenen Messbereichen von 1,7 bis 50 g und 50 bis 1.200 °/s lieferbar. ■ ZSE Mess-Systeme & Sensortechnik GmbH instruments@zse.de www.zse.de Hochlineare Variable-Gain Amplifiers Zwei neue Verstärker mit kontinuierlicher einstellbarer Ausgangsleistung (VGAs) für jegliche Anwendung im Frequenzbereich von 5 bis 27 GHz kommen von Hittite Microwave Corporation. Die neuen GaAs- Verstärker mit variabler Verstärkung auf MMIC-Basis und mit SMT-Gehäuse eignen sich perfekt für den Einsatz im VSAT- Bereich (Very Small Aperture Terminal), im Richtfunkbereich, für militärische Anwendungen und für Anwendungen im Bereich Prüf- und Messgeräte. Bei HMC996LP4E und HMC997LC4 handelt es sich um GaAs-PHEMT-Verstärker mit variabler Verstärkung auf MMIC-Basis, die in einem Frequenzbereich von 5 bis 12 GHz bzw. von 17 bis 27 GHz arbeiten. Bei minimaler Dämpfung liefern diese vielseitigen Verstärker eine Verstärkung von bis zu 20,5 dB, haben 24 dBm als Ausgangs-P1dB und einen IP3 von 34 dBm am Ausgang. Jeder Verstärker wird über eine einzige Steuerspannung zwischen 0 und -4,5 V geregelt und liefert einen Dynamikbereich von bis zu 22 dB. Dank ihrer hohen Linearität können HMC996LP4E und HMC997LC4 als Trennverstärker oder als Pre-Driver zur Leistungsverstärkung bei Richtfunkanwendungen eingesetzt werden. Der HMC996LP4E verbraucht 120 mA bei 5 V und ist in einem RoHS-kompatiblen bleifreien 4x4 mm 2 messenden QFN- Gehäuse untergebracht. Der HMC997LC4 verbraucht 170 mA bei 5 V und besitzt ein RoHS-kompatibles bleifreies 4x4 mm 2 QFN-Keramikgehäuse untergebracht. Sie sind kompatibel mit Oberflächenmontage-Fertigungsverfahren für Großserien; beide besitzen eine hervorragende Gain Flatness und eignen sich dadurch gut für EW-, ECM- und Radaranwendungen im militärischen Bereich. Die wesentlichen Features des HMC996LP4E: • Dynamikbereich 22 dB • Steuerspannung: -1 bis -4,5 V • Ausgangs-IP3 bei max. Verstärkung 34 dBm • Ausgangs-P1dB 22 dBm • keine externe Anpassung • Gehäuse mit 24 Anschlüssen Features HMC997LC4: • Dynamikbereich 15 dB • Ausgangs-IP3 bei max. Verstärkung 31 dBm • Ausgangs-P1dB 24 dBm • keine externe Anpassung • Gehäuse mit 24 Anschlüssen ■ MEV-Elektronik cwessel-berning@mev-elektronik.com www.mev-elektronik.com 36 hf-praxis 1/2012

Bauelemente GaN-HEMT-Verstärker mit Effizienz von 67% Mitsubishi Electric präsentiert einen intern angepassten GaN-HEMT-Leistungsverstärker für die C-Band-Satellitenkommunikation mit einem Wirkungsgrad (Power-added Efficiency, PAE) von 67%. Dieser weltweit höchste PAE-Wert liegt mehr als sieben Prozentpunkte über dem Wert herkömmlicher GaN-Verstärker für das C-Band. Mitsubishi Electric erreicht diesen Rekordwert, indem jede GaN- HEMT-Einheitszelle auf dem Substrat eine separate Anpassung für die Oberwellen vorgeschaltet wird. Im Wesentlichen bedeutet dies, dass jeder GaN-HEMT über eine optimierte Abstimmschaltung, bestehend aus einem MIM-Kondensator und einer Zylinderspule, angesteuert wird. Desweiteren wird durch die hochpräzise Eingangssteuerung die Impedanz der zweiten Harmonischen optimiert, was den Wirkungsgrad des GaN-HEMT verbessert. Der neue Transistor erzielt eine Ausgangsleistung von mehr als 100 W bzw. 50 dBm. Mit Abmessungen von gerade einmal 17,4x24x4,3 mm 3 und einem Gewicht von nur 7,1 g ermöglicht der neue GaN-HEMT von Mitsubishi Electric die Entwicklung kleinerer und leichterer Transmitter, die beim Einsatz in Mikrowellen-Kommunikationssatelliten ein hohes Energieeinsparpotenzial bieten. Diese neue Halbleitertechnologie wird den Austausch der derzeit verwendeten Wanderfeldröhrenverstärker (Traveling Wave Tube Amplifiers, TWTAs) durch GaN-HEMT-Halbleiterverstärker beschleunigen. Die Herstellung deutlich kleinerer, leichterer und effizienterer Satellitentransponder wird so ermöglicht. ■ Mitsubishi Electric Corp semis.info@meg.mee.com www.mitsubishichips.eu www.MitsubishiElectric.de Industrieweit erster 12-Bit-A/D-Wandler mit 1,5 GSPS Die Firma e2v stellte den A/D- Wandler EV12AS200 mit 12 Bit Auflösung und einer Abtastrate von 1,5 GSPS vor. Damit erweitert der Halbleiterspezialist seine Single-Core-ADC-Familie mit großer Bandbreite für direkte HF-Abtastung. Der neue ADC ermöglicht ein Direct-RF-Sampling bis in das L-Band hinein und bietet eine kalibrierungsfreie, stabile Performance über den Temperaturbereich. Der kleine Eingangsspannungsbereich, der zu den niedrigsten derzeit erhältlichen zählt, eröffnet zudem eine größere Auswahl an Ansteueroptionen. Der neue Baustein eignet sich für den Einsatz in High- Resolution-Oszilloskopen, Spektrumanalysatoren, Daten- Richtfunkstrecken in Mikrowellentechnik, Systemen für die elektronische Kriegsführung sowie kommerziell angebotenen Datenerfassungs-Boards. Der EV12AS200 besitzt eine Full-Power-Eingangsbandbreite von 2,3 GHz mit einem für den Betrieb im L-Band optimierten Roll-off-Profil. Mit nur 500 mV/ pp weist der Baustein außerdem den kleinsten Eingangsspannungsbereich in der 12-Bit/ GSPS-Klasse auf, ohne dass Performance-Abstriche beim Direct-RF-Sampling gemacht werden müssen. Dadurch werden Verzerrungseffekte vermindert, die bisher durch große Spannungshübe bei hohen Frequenzen in Verstärkern entstehen. Der kleine Eingangsspannungsbereich eignet sich besonders für High-Resolution Oszilloskope, in denen sich bisher viele Verstärkerstufen befinden. In diesen Verstärkern lässt sich ein sehr niedriges Verzerrungsaufkommen gewährleisten. Der EV12AS200 ist außerdem der einzige 12-Bit-ADC, der ohne internes Interleaving eine Abtastrate von bis zu 1,5 GSPS erreicht. Dies ermöglicht eine stabile dynamische Performance ohne Kalibrierung bei allen Temperaturen. Außerdem steht die nominelle Dynamik- Performance unmittelbar nach dem Einschalten zur Verfügung, sobald sich die Versorgungsspannung stabilisiert hat. Dies macht das Warten auf das Aufwärmen Pulsfeste Leistungswiderstände High Performance ist das Kennzeichen der Leistungs- Filmwiderstände der Serie P40 von Weltronic München. Denn damit wurde ein Widerstandtyp entwickelt, der alle wichtigen Eigenschaften für Hochspannungs-Pulsanwendungen in sich vereint: • ausgezeichnete Pulsfestigkeit: je nach Modell 35 bis 250 Joules • hohe Temperaturstabilität: bis 10 ppm/K • hohe Betriebspannung: 7,5 bis 45 kV • enge Toleranzen bis 0,05% • Betriebstemperatur -55 bis 275 °C, auf Wunsch bis 350 °C des Halbleitermaterials und den Abschluss einer Kalibrierprozedur überflüssig. Der EV12AS200 wird mit einem FpBGA-196-Gehäuse mit kleinem Footprint wahlweise für den kommerziellen Temperaturbereich (0 bis 90 °C) oder für den industriellen Temperaturbereich (-40 bis +110 °C) angeboten.Datenblätter, Muster und Preisangaben gibt es ab sofort sowohl bei e2v direkt als auch bei autorisierten Distributoren weltweit. ■ e2v sylvie.mattei@e2v.com www.e2v.com Die Widerstände werden mit Werten von 100 Ohm bis 1 MOhm bei Abmessungen von 27 bis 152 mm Länge und 8 bis 8,5 mm Durchmesser angeboten. Darüberhinaus steht eine große Auswahl an Hochspannungswiderständen für hohe Anforderungen zur Verfügung. ■ Weltronic info@weltronic.de www.weltronic.de hf-praxis 1/2012 37

Fachzeitschriften

9-2020
8-2020
3-2020
3-2020
3-2020

hf-praxis

7-2020
6-2020
5-2020
4-2020
3-2020
2-2020
1-2020
12-2019
11-2019
10-2019
9-2019
8-2019
7-2019
6-2019
5-2019
4-2019
3-2019
2-2019
1-2019
EF 2019-2020
Best_Of_2018
12-2018
11-2018
10-2018
9-2018
8-2018
7-2018
6-2018
5-2018
4-2018
3-2018
2-2018
1-2018
EF 2018/2019
12-2017
11-2017
10-2017
9-2017
8-2017
7-2017
6-2017
5-2017
4-2017
3-2017
2-2017
1-2017
EF 2017/2018
12-2016
11-2016
10-2016
9-2016
8-2016
7-2016
6-2016
5-2016
4-2016
3-2016
2-2016
1-2016
2016/2017
12-2015
11-2015
10-2015
9-2015
8-2015
7-2015
6-2015
5-2015
4-2015
3-2015
2-2015
1-2015
12-2014
11-2014
10-2014
9-2014
8-2014
7-2014
6-2014
5-2014
4-2014
2-2014
1-2014
12-2013
11-2013
10-2013
9-2013
8-2013
7-2013
6-2013
5-2013
4-2013
3-2013
2-2013
12-2012
11-2012
10-2012
9-2012
8-2012
7-2012
6-2012
4-2012
3-2012
2-2012
1-2012

PC & Industrie

9-2020
8-2020
7-2020
6-2020
5-2020
4-2020
3-2020
1-2-2020
EF 2020
EF-Mess2020
12-2019
11-2019
10-2019
9-2019
1-2-2019
8-2019
7-2019
6-2019
5-2019
4-2019
3-2019
EF 2019
EF 2019
12-2018
11-2018
10-2018
9-2018
8-2018
7-2018
6-2018
5-2018
4-2018
3-2018
1-2-2018
EF 2018
EF 2018
12-2017
11-2017
10-2017
9-2017
8-2017
7-2017
6-2017
5-2017
4-2017
3-2017
1-2-2017
EF 2017
EF 2017
11-2016
10-2016
9-2016
8-2016
7-2016
6-2016
5-2016
4-2016
3-2016
2-2016
1-2016
EF 2016
EF 2016
12-2015
11-2015
10-2015
9-2015
8-2015
7-2015
6-2015
5-2015
4-2015
3-2015
2-2015
1-2015
EF 2015
EF 2015
11-2014
9-2014
8-2014
7-2014
6-2014
5-2014
4-2014
3-2014
2-2014
1-2014
EF 2014
12-2013
11-2013
10-2013
9-2013
8-2013
7-2013
6-2013
5-2013
4-2013
3-2013
2-2013
1-2013
12-2012
11-2012
10-2012
9-2012
8-2012
7-2012
6-2012
5-2012
4-2012
3-2012
2-2012
1-2012

meditronic-journal

3-2020
2-2020
1-2020
4-2019
3-2019
2-2019
1-2019
5-2018
4-2018
3-2018
2-2018
1-2018
4-2017
3-2017
2-2017
1-2017
4-2016
3-2016
2-2016
1-2016
4-2015
3-2015
2-2015
1-2015
4-2014
3-2014
2-2014
1-2014
4-2013
3-2013
2-2013
1-2013
4-2012
3-2012
2-2012
1-2012

electronic fab

2-2020
1-2020
3-2020
4-2019
3-2019
2-2019
1-2019
4-2018
3-2018
2-2018
1-2018
4-2017
3-2017
2-2017
1-2017
4-2016
3-2016
2-2016
1-2016
4-2015
3-2015
2-2015
1-2015
4-2014
3-2014
2-2014
1-2014
4-2013
3-2013
2-2013
1-2013
4-2012
3-2012
2-2012
1-2012

Haus und Elektronik

3-2020
2-2020
1-2020
4-2019
3-2019
2-2019
1-2019
4-2018
3-2018
2-2018
1-2018
4-2017
3-2017
2-2017
1-2017
4-2016
3-2016
2-2016
1-2016
4-2015
3-2015
2-2015
1-2015
4-2014
3-2014
2-2014
1/2014
4-2013
3-2013
2-2013
1-2013
4-2012
3-2012
2-2012
1-2012

Mediadaten

2020 - deutsch
2020 - english
2020 - deutsch
2020 - english
2020 - deutsch
2020 - english
2020 - deutsch
2020 - english
2020 - deutsch
2020 - english
2019 deutsch
2019 english
2019 deutsch
2019 english
2019 deutsch
2019 english
2019 deutsch
2019 english
2019 deutsch
2019 english
© beam-Verlag Dipl.-Ing. Reinhard Birchel