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11-2013

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HF-Praxis 11/2013

Funkpraxis Bild 5 –

Funkpraxis Bild 5 – Peilung 2: Einfluss von Reflexionen. Der rote Pfeil zeigt die berechnete Richtung. Der grüne Pfeil zeigt die Richtung, in die die Antenne momentan gehalten wird. Aus dieser Richtung führen die Reflexionen fast zur Auslöschung des Signals Bild 6 – Peilung 3: Horizontal Scan am ungünstigen Standort hinter einem Berg. Durch Abschattung und Reflexionen wird die Richtung falsch ermittelt. Der Fachmann kann an der Form der gemessenen Charakteristik die Fehlmessung erkennen. Bild 7 – Peilung 4: Ideale Bedingungen wie bei Peilung 1 (Bild 2). Fehlpeilung erkennt. Der Scan wurde verworfen. Als weiterer Messort wurde eine freie Fläche hinter einem Berg gewählt. Bei Peilung 3 liegt der Berg direkt zwischen dem Messort und dem Sender. Dadurch ist der Sender vom Berg stark abgeschattet. Im Diagramm (Bild 6) ist die Abschattung gut zu erkennen. Durch Reflexionen wird der größte Signalpegel in der falschen Richtung gemessen. Eine letzte Peilung 4 (Bild 7) ist unter weitgehend idealen Bedingungen auf freier Fläche und mit freier Sicht auf den FM-Sender vorgenommen worden. Alle Horizontal Scans werden im Gerät gespeichert und auf der Karte dargestellt. Spätestens hier wären die Fehlpeilungen zu erkennen. Durch die grafische Darstellung als Polardiagramm ist die Erkennung jedoch sofort möglich. Zur Auswertung werden nur die Peilungen 1 und 4 herangezogen. Für die Peilung mit dem IDA- 3106 stehen vier Richtantennen für unterschiedliche Frequenzbereiche zur Verfügung. Im vorliegenden Beispiel wurde die Richtantenne 1, eine Rahmenantenne, verwendet, die den Bereich von 20 MHz bis 250 MHz abdeckt. ■ Narda Safety Test Solutions GmbH www.narda-sts.de Bild 8: Das Gerät stellt das Peilergebnis der gespeicherten Horizontal Scans auf der Karte direkt vor Ort dar. Fehlpeilung 2 wurde verworfen; die Fehlpeilung 3 durch die Abschattung vom Berg zeigt in die falsche Richtung. Die erfolgreichen Peilungen 1 und 4 reichen aus, um den Sender zu lokalisieren. Bild 9: Die typischen Richtcharakteristiken der Richtantenne 1 bei 150 MHz für vertikale (V) und horizontale Polarisation (H). 50 hf-praxis 11/2013

Product-Portrait Hittite GaN MMIC Power Amplifiers Deliver up to 25 W Ideal for General Communications, Test Instrumentation & Radar Applications from 2 to 20 GHz Hittite Microwave Corporation announced four new Gallium Nitride (GaN) MMIC power amplifier products which offer significant performance, size and durability advantages for communications, test instrumentation and radar systems operating in the 2 to 20 GHz frequency range. * HMC1086F10 The HMC1086F10 is a 25 W GaN MMIC Power Amplifier which operates between 2 and 6 GHz, and is provided in a 10-lead flange mount package. The amplifier typically provides 23 dB of small signal gain, +44 dBm saturated output power, and delivers +46 dBm output IP3 at +33 dBm output power per tone. The amplifier draws 1100 mA quiescent current from a +28 V DC supply. The RF I/Os are DC blocked and mathed to 50 Ohms for ease of use. DC supply. Both amplifiers feature RF I/ Os that are DC blocked and matched to 50 Ohms for ease of integration into Multi- Chip-Modules (MCM). Features • High Psat: +44,5 dBm • Power Gain at Psat: 14 dB • High Output IP3: +48 dBm • Small Signal Gain: 22 dB • Supply Voltage. +28 V @ 1,1 A • 50 Ohm Matched Input/Output • Die Size: 3,4 x 4 x 0,1 mm * HMC1087F10 The HMC1087F10 is an 8 W GaN MMIC Power Amplifier which operates between 2 and 20 GHz, and is provided in a 10-lead flange mount package. The amplifier typically provides 11 dB of small signal gain, +39 dBm of saturated output power, and +43 dBm output IP3 at +28 dBm output power per tone. The amplifier draws 850 mA quiescent current from a +28 V DC supply. The RF I/Os are matched to 50 Ohms for ease of use. Features • High Psat: +38,5 dBm • Power Gain at Psat +6,5 dB • High Output IP3: +43,5 dBm • Small signal gain: 11 dB • Supply Voltage: +28 V @ 850 mA • 50 Ohm matched Input/Output * HMC1087 The HMC1087 is the die version of the HMC1087F10. This 8 W GaN MMIC power amplifier also operates between 2 and 20 GHz and provides 11 dB of small signal gain, +39 dBm of saturated output power, and +45 dBm output power per tone and IP3 at +29 dBm. The HMC1087 draws 850 mA quiescen current from a +28 V DC supply. Both amplifiers feature RF I/Os that are matched to 50 Ohms for ease ofintegration into Multi-Chip Modules (MCM). Both the HMC1086 and the HMC1087 amplifiers feature compact die sizes, high output power capability and simplified biasing, which make them ideal for integration into high power density MCMs and subsystem applications. Features • High Psat: +44 dBm • Power Gain at Psat: 11 dB • High Output IP3: +46 dBm • Small signal gain: 23 dB • Supply voltage. +28 V @ 1100 mA * HMC1086 The HMC1086 is the die version of the HMC1086F10. This 25 W GaN MMIC power amplifier also operates between 2 and 6 GHz and provides 22 dB of small signal gain, +44 dBm of saturated output power, and +48 dBm output IP3 at +33 dBm output power per tone. The HMC1086 draws 1100 mA quiescent current from a +28 V Features • High Psat: +39 dBm • Power Gain at Psat: +5,5 dB • High Power Output IP3: +45 dBm • Small Signal Gain: 11 dB • Supply Voltage: +28 V @ 850 mA • Die Size: 2 x 4 x 0,1 mm ■ Hittite Microwave Corporation www.hittite.com hf-praxis 11/2013 51

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