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11-2020

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Fachzeitschrift für Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik

Bauelemente Rauscharmer

Bauelemente Rauscharmer Breitbandverstärker-Baustein für 27,5 bis 43,5 GHz Der CHA2595-QDG von United Monolithic Semiconductors ist ein rauscharmer Breitbandverstärker, der von 27,5 bis 43,5 GHz arbeitet. Es bietet eine Verstärkung von 19,5 dB bei einer Rauschzahl von weniger als 2,3 dB und einen P1dB von 11 dBm. Der Verstärker benötigt eine Versorgung von 3,3 V und zieht 61 mA. Es wurde nach einem 0,1-µm-GaAs-pHEMT-Verfahren entwickelt. Diese LNA ist mit einem QFN- Kunststoffgehäuse erhältlich und misst 4 x 4 mm. Es ist für 5G-, MIMO-Antennen-, 28/32/38/42-GHz-Funkverbindungen, SatCom-Verbindungen, Radarempfänger und Testinstrumentierungsanwendungen geeignet. Weitere Produktdetails: • IP3 20 dBm • Sättigung 9 bis 13,5 dBm • Rückflussdämpfung 10 dB • Betriebstemperatur -40 bis +85 °C ■ United Monolithic Semiconductors www.ums-ulm.de Digitales 6-Bit-Stufendämpfungsglied für 9 kHz bis 13 GHz Das PE43610 von pSemi ist ein digitales 6-Bit-Stufendämpfungsglied, das von 9 kHz bis 13 GHz arbeitet. Es hat einen Dämpfungsbereich von 0 bis 31,5 dB bei einer Schrittweite von 0,5 dB. Dieser DSA verfügt über störungsfreie Dämpfungszustandsübergänge und eine Steuerspannung von 1,8 V mit einem optionalen Bypass-Modus zur Verbesserung der Störleistung. Damit eignet sich dieses Bauteil ideal für Tests und Messungen, Punkt-zu-Punkt-Kommunikationssysteme und z.B. VSat. Es bietet eine integrierte digitale Steuerschnittstelle, die sowohl die serielle als auch die parallele Programmierung der Dämpfung unterstützt. Dieses Dämpfungsglied kann eine Monotonie von 0,5 dB und 1 dB über eine Bandbreite von 13 GHz aufrechterhalten und benötigt keine externen Sperrkondensatoren an den HF-Ports. Das PE43610 wird nach dem UltraCMOS- Verfahren von pSemi hergestellt, einer patentierten Variante der Silizium-auf-Isolator-Technologie (SOI) auf einem Saphirsubstrat, die die Leistung von GaAs mit der Wirtschaftlichkeit und Integration herkömmlicher CMOS bietet. Es ist in einem 4 x 4 mm LGA-Gehäuse mit 24 Anschlüssen erhältlich. Weitere Daten: • Leistung 0,63 W (CW), 1,25 W (gepulst) • P1dB 32 bis 34 dBm • IIP3 50 dBm • Schaltzeit 330 bis 430 ns • Einschwingzeit 500 ns • Versorgungsspannung 2,3 bis 5,5 V • Impedanz 50 Ohm • Betriebstemperatur -40 bis +105 °C ■ pSemi www.psemi.com GaAs-basierter SPDT-Schalter für 0,05 bis 26,5 GHz Der MASW-011128 von Macom ist ein GaAs-basierter SPDT-Schalter, der von 0,05 bis 26,5 GHz arbeitet. Dieser nichtreflektierende Schalter hat eine Einfügungsdämpfung von 1,7 dB, eine Isolation von 48 dB und eine Schaltgeschwindigkeit von 12 ns. Es ist als Chip mit den Maßen 1,3 × 0,85 × 0,1 mm erhältlich und eignet sich nahezu ideal für Test- und Mess-, EW- und Breitbandkommunikationssysteme. Produktspezifikationen: • Einfügungsverlust 1,3 bis 2 dB • Isolation 42 bis 64 dB • P1dB 27 dBm • IIP3 42 dBm • Versorgungsspannung -5/0 V • Impedanz 50 Ohm • Betriebstemperatur -40 bis 85 °C ■ Macom www.macom.de Verstärker-MMIC liefert bis 25 W auf 6 GHz Der CMPA0060025F von Wolfspeed ist ein GaN-HEMT-basierter Leistungsverstärker- MMIC, der von DC bis 6 GHz arbeitet. Es liefert eine gesättigte Ausgangsleistung von 25 W mit einer Verstärkung von mehr als 15,5 dB und hat einen Wirkungsgrad von bis zu 63 %. Die GaN-Technologie erlaubt hier im Vergleich zu Si- und GaAs-Transistoren eine höhere Durchbruchspannung, bessere Wärmeleitfähigkeit, höhere Leistungsdichte und größere Bandbreite. Der MMIC ist mit einem Flanschgehäuse mit einer Größe von 0,5 x 0,5 Zoll erhältlich und eignet sich für Anwendungen wie Ultra- Breitband-Verstärker, Testinstrumente und EMV-Verstärkertreiber. Produktdetails: • Power Gain 10,7 bis 12,8 dB • Kleinsignalverstärkung 17 dB • Sättigungsleistung 42,7 bis 44,8 dBm • max. Eingangsleistung 32 dBm • Impedanz 50 Ohm • SWR 5 • Versorgungsspannung 50 V • Verbrauch 500 mA • Betriebstemperatur -40 bis 150 °C ■ Wolfspeed, eine Cree Company www.wolfspeed.com BAW-Bandpassfilter mit einem Durchlassbereich von 2515 bis 2675 MHz Das QPQ1298 von Qorvo ist ein BAW-Bandpassfilter (Bulk Acoustic Wave) mit einem Durchlassbereich von 2515 bis 2675 MHz. Es hat eine Einfügungsdämpfung von 2,5 dB im Durchlassbereich und eine Dämpfung von über 45 dB von 2400 auf 2483,5 MHz. Es ist in einem kompakten bleifreien SMT- Gehäuse von 2 x 1,6 mm Footrprint erhältlich und eignet sich fast ideal für Uplink/ Downlink-Subband-Anwendungen, Basisstationsinfrastruktur, kleine Zellen, Repea- 22 hf-praxis 11/2020

Bauelemente GaN-Transistor bietet eine Ausgangsleistung von 300 W Mit einem Klick schnell informiert! Der MRF24G300HS von NXP ist ein HF-Leistungs-GaN-Transistor, der von 2,4 bis 2,5 GHz optimal arbeitet. Er bietet eine Ausgangsleistung von 300 W bei einer Verstärkung von 15,2 dB und einem Wirkungsgrad von 73 % bei Betrieb über eine 50-V-Versorgung. Dieses Bauelement ist für den Einsatz in CW-, Puls-, Zyklusund linearen Anwendungen geeignet. Der Transistor ist in einem oberflächenmontierten Paket erhältlich und eignet sich ideal für Plasmaerzeugungs-, Beleuchtungs- und industrielle Heizungsanwendungen. Produktspezifikationen: • Klasse AB • Effizienz 70,4 bis 74,4 % • Abmessungen 9,78 x 20,53 x 3,75 mm • Betriebstemperatur -55 bis 150 °C ■ NXP Semiconductors www.nxp.com ter, Router, LTE-Dongles und drahtlose Allzweckanwendungen. Das BAW-Filter QPQ1298 kombiniert einen geringen Einfügungsverlust und eine hervorragende Außerbandunterdrückung auf kompaktem Raum. Es ist ab sofort verfügbar, um schnelle 5G-Infrastrukturbereitstellungen auf der ganzen Welt zu unterstützen. Dieser Filter macht es Kunden einfach und kostengünstig, das 5G NR Band n41 schnell einzuführen. ■ Qorvo www.qorvo.com Dünnschicht- Spiralinduktivitäten Die PLS-Serie von PassivePlus umfasst Dünnschicht-Spiralinduktoren mit einer Induktivität von 1,2 bis 2,8 nH. Sie arbeiten von DC bis 500 MHz mit einem Q-Faktor von 14 @ 500 MHz und haben 1,5 bis 7 Windungen. Diese Induktoren bestehen aus einem Dünnschicht-Goldspiralmuster auf einem Substrat und können in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden. Sie haben eine optionale Polyimidbeschichtung über der Spule, die die Beständigkeit gegen Kratzer oder Kurzschlüsse erhöht. Ein zweites Eckpolster dient zum einfachen Drahtbonden vom Mittelpolster zur Kantenkontaktmontage. Diese Induktivitäten können in elektronischen Filtern verwendet werden, um Signale mit unterschiedlichen Frequenzen zu trennen, Wechselstrom zu blockieren, während Gleichstrom durchgelassen wird, und in Kombination mit Kondensatoren abgestimmte Schaltkreise herzustellen. Abmessungen: 50 x 50 mm, Betriebstemperatur -55 bis 150 °C. ■ PassivePlus www.passiveplus.com • Jetzt NEU: Unser e-paper- Kiosk für noch schnelleren Zugriff auf die aktuellen Hefte • Unsere Fachzeitschriften und Einkaufsführer im Archiv als Download • Aktuelle Produkt-News und ausgewählte Fachartikel aus der Elektronik-Branche • Direkt-Links zu den Herstellern • umfangreiches Fachartikel-Archiv • Optimiert für mobile Endgeräte Besuchen Sie uns auf: www.beam-verlag.de hf-praxis 11/2020 23 23

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