Applikationen ADCH-80+
Applikationen ADCH-80+ und ADCH-80A+ an, die zwischen 50 MHz und 10 GHz einsatzfähig sind. Sie haben einen Wert von 1 µH. Bild 4 und 5 informieren über die damit erreichten Wirkungen. Verlustleistung senken Ein Versorgungsstrom von 100 mA bei 12 V bedeutet eine Gesamtverlustleistung von 1,2 W! Man kann die Erwärmung mit ihren negativen Nebenwirkungen durch Strom- und/oder Betriebsspannungsreduktion abmindern. Doch welche Nachteile bringen kleinere Ströme bzw. höhere Bias-Widerstände mit sich? Zunächst einmal sinkt die Spannung am IC, die Device-Voltage V d . Das bedeutet eine kleinere Aussteuerbarkeit. Grundsätzlich steigt die Linearität mit dem Betriebsstrom, spart man an diesem, nehmen die Verzerrungen und die Intermodulation also zu. Jeder Betriebsstrom ist mit einem bestimmten TK von Vd verbunden. Dieser ist negativ und liegt für ERA-Typen von Mini-Circuits zwischen -0,5 und -3,5 mV/K. Datenblätter und Applikationsschriften geben nähere Auskunft. Beträgt der TK beispielsweise -2 mV/K für V d = 5 V bei 20 °C, so ergibt sich bei -45 °C ein Wert von 5,13 V mA und bei 85 °C von 4,87 V. Die Toleranz des Widerstands, sein TK sowie der demgegenüber oft beachtliche TK der Versorgungsspannung können zu weiteren Abweichungen von den nominellen 5 V führen.Entsprechend kommt es natürlich zu einer Betriebsstromänderung. Steigende Temperatur bedeutet fallende V d , steigende Spannung über R bias und somit steigenden Strom. Bei konstanter V CC steigt die gesamte Verlustleistung.Man sollte immer bedenken, dass sich die Gesamtverlustleistung auf R bias und den MMIC aufteilt. Außenbeschaltungen mit Temperaturkompensation sind möglich. Bild 8: Einzeltransistor-MMIC mit Active Bias Betrieb ohne Bias-Widerstand Freescale hat die einfache Darlingtonkonfiguration mit InGaP HBTs und E-pHEMTs (enhancement Mode pseudomorphic High Electron Mobility Transistors) weiterentwickelt mit dem Ziel, ohne Bias-Widerstand auszukommen. Bild 6 zeigt die Schaltung des verbesserten Darlington-Paars mit InGaP HBTs nebst Außenbeschaltung. Die MMIC nach Bild 7 ist mit einem sogenannten Active Bias ausgestattet. Auch dadurch kann ein externer Bias-Widerstand entfallen. Active Bias bedeutet, dass der Bias-Strom bei normaler Speisespannungsstabilität minimalen Verwerfungen unterliegt, auch infolge Temperatureinfluss. Diese Methode ist auch auf einen MMIC mit Einzeltransistor anwendbar – siehe Bild 8. Die in Bild 9 erkennbare Innenschaltung wird vorrangig für MMICs mit einem HFET, einem GaAs Heterostructure Field Effect Transistor, verwendet. Ein Blockkondensator für die Rückkopplung ist integriert. Die Gatespannung beträgt daher 0 V. Auch R3 wirkt gegenkoppelnd. Die Außenbeschaltung gleicht der beim Darlington-MMIC. Der Anschluss „Output & Bias“ liegt über die Drossel L1 meist an 5 V. ◄ Bild 9: HFET-MMIC erlaubt Betrieb nur mit HF-Drossel 24 hf-praxis 2/2013
GVA-81+ 10 dB GVA-83+ GVA-63+ 20 dB 15 dB GVA-82+ GVA-62+ GVA-84+ 24 dB +20 dBm Power Amplifiers with a choice of gain PLIFIERS 2 New Models! *Low frequency cut-off determined by coupling cap, except for GVA-62+ and GVA-63+ low cutoff at 10 MHz. DC * to 7 GHz from94 ¢ ea. (qty.1000 ) Der The GVA-62+ und and der -63+ –63+ add sind ultra-flat neu in gain unserer to our GVA-Linie. lineup, Sie weisen as low eine as ±0.7 Verstärkungstoleranz dB across the entire von +/-0,7 100 dB MHz-6 über GHz den gesamten All of Frequenzbereich our GVA models von are 100 extremely MHz bis broadband, 6 GHz auf. with Alle a unsere wide band! GVA-Modelle dynamic range sind and äußerst the right breitbandig, gain to haben fit your einen application. großen Dynamikbereich Based on high-performance und die richtige InGaP Verstärkung HBT für technology, Ihre Anwendung. these Basierend auf der Hochleistungs-InGaP-HBT-Technologie decken patented amplifiers cover DC* to 7 GHz, with a gain diese patentierten GVA-Verstärker den Bereich von DC bis 7 GHz, selection ab und of 10, bieten 15, die 20 Auswahl or 24 dB unter (at 1 Verstärkungswerten GHz). They all provide von 10, better 15, than 20 oder +20 24 dBm gemessen typical output bei 1 power, GHz. Alle with GVA-Modelle typical IP3 US patent 6,943,629 liefern performance eine typische as high Ausgangsleistung as +41 dBm at von 1 mehr GHz. als Supplied +20 dBm, in bei RoHS-compliant, einem typischen SOT-89 IP3 von housings, bis zu +41 low-cost dBm bei 1 GVA GHz. amplifiers Geliefert in feature RoHS-konformen excellent input/output SOT-89-Gehäusen return bieten loss and die preisgünstigen high reverse GVA-Verstärker isolation. With ausgezeichnete built-in ESD protection, Anpassungswerte GVA amplifiers an Ein- und are Ausgang unconditionally sowie eine stable hohe and Rückwärtsdämpfung. designed for a single Sie haben 5V supply. einen internen ESD-Schutz und arbeiten bedingungslos stabil. Zum Just go to minicircuits.com for technical specifications, Betrieb werden lediglich 5 V benötigt. Weitere Informationen über performance die Breitband-GVA-Verstärker data, export info, pricing, finden and Sie auf everything der Website you von need Mini-Circuits to choose your unter GVA www.minicircuits.com. today! Mini-Circuits…we’re redefining what VALUE is all about! Mini-Circuits… wir definieren neu, was Wert ist! ® * Stückpreis bei Abnahme von 1000 * Stück ohne EG-Einfuhrabgabe und Mehrwertsteuer U.S. Patents 7739260, 7761442 ISO 9001 ISO 14001 AS 9100 ® P.O. Box 350166, Brooklyn, New York 11235-0003 (718) 934-4500 Fax (718) 332-4661 The Design Engineers Search Engine finds the model you need, Instantly • For detailed performance specs & shopping online see IF/RF MICROWAVE COMPONENTS 458 rev J GVA Ad 458 rev J.indd 1 10/25/12 4:03 PM
