Bauelemente
Bauelemente Bandpassfilter deckt 5G-Band n258 ab MMIC-Verstärker mit Maximalverstärkung zwischen 10 und 45 GHz Das LTCC-Bandpassfilter BFCQ-2602+ von Mini-Circuits hat einen verlustarmen Durchlassbereich von 25 bis 27,5 GHz und wurde für das 5G-Band n258 entworfen. Die typische Einfügungsdämpfung im Durchlassbereich beträgt 2,4 dB mit einer typischen Unterdrückung des unteren Sperrbereichs von 37 dB von 0,1 bis 21,7 GHz und einer typischen Unterdrückung des oberen Sperrbereichs von 36 dB von 31 bis 50 GHz. Der oberflächenmontierbare Filter misst nur 2,5 × 2 mm, bewältigt aber bis zu 1 W Eingangsleistung. Das verteilte Filter ist für die Massenproduktion für 5G-Funknetzwerk-Anwendungen ausgelegt. Das Modell PMA3-453+ von Mini-Circuits ist ein High-Gain-Verstärker mit 50 Ohm Impedanz (MMIC) mit großer Einsatzbandbreite von 10 bis 45 GHz und noch nutzbar bis 9 GHz herab. Die typische Kleinsignalverstärkung beträgt 25,3 dB bei 10 GHz, 18,2 dB bei 30 GHz und 9,1 dB bei 45 GHz. Der Verstärker zeichnet sich durch eine niedrige Rauschzahl von typischerweise 1,9 dB bei 10 GHz, 2,4 dB bei 30 GHz und 5,2 dB bei 45 GHz aus. Gut geeignet ist er für 5G und Satcom. Der RoHS-konforme Verstärker misst nur 3 × 3 × 0,89 mm. Koaxialer Verstärker für Signale mit 18 bis 45 GHz Koaxialfilter lässt Signale im Bereich 6 bis 12 GHz durch Das ZBSS-9G-S+ von Mini-Circuits ist ein robustes koaxiales Bandpassfilter mit einer typischen Einfügungsdämpfung von 1,5 dB über einen Durchlassbereich von 6 bis 12 GHz. Das typische Durchlassband-SWR beträgt 1,5. Die Unterdrückung beträgt 40 dB oder mehr über einen unteren Sperrbereich von DC bis 4,1 GHz und über einen oberen Sperrbereich von 14,2 bis 26,5 GHz. Dieses 50-Ohm-Filter passt gut zu Breitbandempfängern und EW-Systemen. Es bewältigt bis zu 10 W HF-Leistung und wird mit SMA-Buchsen geliefert. SMT-LTCC-Filter für 9,2 bis 11,3 GHz Gain Equalizer zur Level-Anpassung von Signalen im Bereich DC bis 45 GHz Das Modell BFHK-1072+ von Mini-Circuits ist ein LTCC-Bandpassfilter mit einer typischen Einfügungsdämpfung von 3,1 dB über einen Durchlassbereich von 9,2 bis 11,3 GHz. Die Sperrbereichsunterdrückung beträgt typischerweise 90 dB von 2 bis 6 GHz und von 15,1 bis 30 GHz. Das RoHS-konforme Filter misst nur 4,5 × 3,2 mm bei geschirmter Bauweise und einem SMT-Gehäuse, verarbeitet aber bis zu 1 W Eingangsleistung. Es ist für Betriebstemperaturen von -55 bis +125 °C ausgelegt. Das Modell ZVE-453HP+ von Mini-Circuits ist ein High-Gain-Koaxialverstärker mit 1 W Ausgangsleistung für Signale im Frequenzbereich von 18 bis 45 GHz. Die typische Verstärkung beträgt 37 dB. Die typische Ausgangsleistung bei 1-dB-Kompression beträgt 29 dBm von 18 bis 26 GHz, 30,5 dBm von 26 bis 40 GHz und 28,5 dBm von 40 bis 45 GHz. Der Verstärker wird mit einer einzigen Versorgung von 10 bis 15 V betrieben und verfügt über einen integrierten Schutz einschließlich Überspannungs- und Verpolungsschutz. Er ist nahezu ideal für Test- und Kommunikationszwecke geeignet und besitzt 2,4-mm-Buchsen. Die Gain Equalizer der EQY-453-Serie von Mini-Circuits pegeln Signalamplituden von DC bis 45 GHz auf ein gleichmäßigeres Niveau ein. Erhältlich sind sie mit festen Nenndämpfungsflanken von 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9 und 10 dB. Dabei weisen die Gain Equalizer eine Breitband-Rückflussdämpfung von 20 dB oder besser auf. Die RoHS-konformen absorbierenden Equalizer sind nahezu ideal für das Gain-Leveling in 5G-, Verteidigungs- und Test-Anwendungen geeignet und werden mit einem sich wiederholenden GaAs-Prozess hergestellt und in 6-Leiter-MCLP-Gehäusen mit einer Größe von 2 × 2 mm angeboten. Trotz dieser Kleinheit können sie eine Eingangsleistung von bis zu 2 W verarbeiten. 26 hf-praxis 1/2022
Bauelemente Erweitertes Angebot an Galliumnitrid-HF-Leistungselektronik Microchip Technology, Inc. gab eine bedeutende Erweiterung seines Angebots an GaN-HF-Leistungselektronik um neue MMICs und diskrete Transistoren bekannt, die Frequenzen bis zu 20 GHz abdecken. Die Bausteine kombinieren eine hohe Leistungseffizienz (PAE, Power-Added Efficiency) und eine hohe Linearität, um ein neues Leistungsniveau in Anwendungen wie 5G, elektronische Kriegsführung, Satellitenkommunikation, kommerzielle und militärische Radarsysteme und Testgeräte zu erzielen. GaN-auf-Siliziumkarbid- Technologie Wie alle GaN-HF-Leistungselektronik-Bauelemente von Microchip werden die neuen Bausteine in GaN-auf-Siliziumkarbid-Technologie gefertigt, mit der sich die beste Kombination aus hoher Leistungsdichte und Ausbeute sowie High-Voltage-Betrieb und einer Lebensdauer von mehr als 1 Mio. h bei einer Sperrschichttemperatur von 255 °C erzielen lässt. Zu den Neulingen gehören GaN-MMICs für 2 bis 18, 12 bis 20 und 12 bis 20 GHz mit 3-dB Compression Point Output bis 20 W und einem Wirkungsgrad bis 25%, Bare-Dieund gehäuste GaN-MMIC- Verstärker für S- und X-Band mit bis zu 60% PAE sowie diskrete HEMT-Bausteine (High Electron Mobility Transistor) für DC bis 14 GHz mit einer P 3dB -HF-Ausgangsleistung bis 100 W und einem maximalen Wirkungsgrad von 70%. „Microchip investiert weiterhin in sein Angebot an GaN-HF- Produkten, um jede Anwendung bei allen Frequenzen von Mikrowellen- bis Millimeterwellenlänge zu unterstützen“, so Leon Gross, Vice President der Discrete Products Business Unit bei Microchip. „Unser Angebot umfasst nun mehr als 50 Bauelemente – von niedrigen Leistungsstufen bis 2,2 kW. Die angekündigten Bausteine decken einen Frequenzbereich von 2 bis 20 GHz ab und sind darauf ausgelegt, die Anforderungen an die Linearität und Effizienz zu erfüllen, die sich aus den Modulationsverfahren höherer Ordnung ergeben, wie sie bei 5G und anderen Funknetzen zum Einsatz kommen, sowie den besonderen Anforderungen der Satellitenkommunikation und Rüstungstechnik.“ Microchips Angebot an HF-ICs und GaN-Bauelementen reicht von GaAs-HF-Verstärkern und -Modulen bis hin zu rauscharmen Verstärkern, Frontend- Modulen (RFFEs), Varaktoren, Schottky- und PIN-Dioden, HF-Schaltern und spannungsvariablen Dämpfungsgliedern. Hinzu kommen hochleistungsfähige SAW-Sensoren (Surface Acoustic Wave), MEMS- Oszillatoren (Microelectromechanical Systems) sowie hochintegrierte Module, die Mikrocontroller (MCUs) mit HF-Transceivern kombinieren (WiFi MCUs), die die wichtigsten funkbasierten Kurzstrecken-Kommunikationsprotokolle von Bluetooth über WiFi bis LoRa unterstützen. Entwicklungs-Tools Microchip bietet wie seine Distributionspartner Unterstützung beim Board Design und Design-In. Hinzu kommen kompakte Modelle für die neuen GaN-Bauelemente, mit denen Kunden die Leistungsfähigkeit einfacher modellieren und das Design der Leistungsverstärker in ihren Systemen beschleunigen können. Verfügbarkeit Die Bauelemente ICP0349PP7- 1-300I und ICP1543-1-110I sowie alle anderen HF-ICs von Microchip sind bereits in Serie erhältlich. Weitere Informationen erhalten Sie über Microchips Vertrieb vor Ort oder über die Website von Microchip. Um GaN-Bauelemente von Microchip zu erwerben, wenden Sie sich an einen autorisierten Distributor. • Microchip Technology, Inc www.microchip.com Transistor wird mit einem 2 × 2 mm messenden MCLP-Gehäuse geliefert. E-PHEMT bringt hohe Leistung im Bereich von 50 MHz bis 12 GHz Der TAV2-14LN+ von Mini-Circuits ist ein E-PHEM-Transistor mit hoher Verstärkung und niedriger Rauschzahl im Frequenzbereich von 50 MHz bis 12 GHz. Die typische Verstärkung beträgt 22 dB bei 50 MHz, 15,9 dB bei 6 GHz und 10 dB bei 12 GHz mit einer 2-V/20-mA-Versorgung. Die Rauschzahl beträgt typischerweise 0,7 dB bei 50 MHz, 0,6 dB bei 6 GHz und 0,8 dB bei 12 GHz. Der intern auf 50 Ohm angepasste LTCC-Richtkoppler überspannt den Bereich 700 bis 2700 MHz Das Modell DCW-30-272+ von Mini-Circuits ist ein LTCC-30-dB-Richtkoppler, der den ISM-Frequenzbereich von 700 bis 2700 MHz mit 14 dB typischer Richtschärfe bis 2170 MHz und 8 dB typischer Richtschärfe bis 2700 MHz abdeckt. Die Einfügungsdämpfung der Hauptleitung beträgt typischerweise 0,2 dB mit einer Eingangsund Ausgangs-Rückflussdämpfung von typischerweise 23 dB. Der 50-Ohm-RoHSkonforme Koppler verarbeitet bis zu 2 W Eingangsleistung. Er ist temperaturstabil im Bereich von -55 bis +100 °C und wird mit einem 1,6 × 0,8 mm messenden SMT- Gehäuse vom Typ 0603 geliefert. • Mini-Circuits sales@minicircuits.com www.minicircuits.com hf-praxis 1/2022 27
