Herzlich Willkommen beim beam-Verlag in Marburg, dem Fachverlag für anspruchsvolle Elektronik-Literatur.


Wir freuen uns, Sie auf unserem ePaper-Kiosk begrüßen zu können.

Aufrufe
vor 8 Jahren

10-2015

  • Text
  • Komponenten
  • Technik
  • Radio
  • Filter
  • Oszillatoren
  • Quarze
  • Emv
  • Wireless
  • Messtechnik
  • Bauelemente
Fachzeitschrift für Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik

Bauelemente Analoge

Bauelemente Analoge Frontend-Bausteine mit integrierten 24-Bit-Wandlerkernen Analog Devices hat zwei Analog-Frontend-Bausteine (AFEs) mit integrierten 24-Bit-Sigma-Delta-Wandlerkernen vorgestellt. Die Bausteine bieten die industrieweit beste Kombination aus niedrigem Stromverbrauch, geringem Rauschen und einem hohen Integrationsgrad. Die AFEs AD7124-4 und AD7124-8, die sich direkt an alle gängigen industriellen Signalquellen und Sensoreingänge anschließen lassen, nehmen gegenüber vergleichbaren Bauelementen um 40% weniger Leistung auf. Dank dieses klassenbesten Stromverbrauchs empfehlen sich die neuen AFEs für eine ganze Palette von Industrie- und Messanwendungen sowie für Strom sparende portable Geräte. AD7124-4 und AD7124-8 bieten drei vom Anwender wählbare Power-Modi, mit denen Systemdesigner das Verhältnis zwischen Durchsatz und Rauschverhalten optimieren können. In der Betriebsart mit dem geringsten Stromverbrauch (255 µA) liefert der Wandler 21,7 rauschfreie Bits bei niedrigen Abtastraten. Die vom Benutzer einstellbaren Power- Modi geben den Designern von speicherprogrammierbaren Steuerungen, Prozesssteuerungen, Übertragungssystemen und anderem Industrie- und Mess-Equipment die Möglichkeit, eine einheitliche Plattform zu entwickeln, deren Stromverbrauchs- und Performance-Eigenschaften sich anschließend gezielt auf jeden Anwendungsfall abstimmen lässt. ■ Analog Devices Inc. www.analog.com Der hohe Integrationsgrad des AD7124-4 (mit vier differentiellen und sieben pseudo-differentiellen Eingängen) und des AD7124-8 (mit acht differentiellen und 15 pseudo-differentiellen Eingängen) vereinfacht die Designarchitektur und verkürzt den Designzyklus, denn aufgrund ihrer Flexibilität unterstützen die AFEs problemlos mehrere Arten von Sensoren. Die Palette reicht von Widerstandsthermometern über Thermoelemente, Spannungs- und Stromeingänge bis zu Strommessbrücken. Auf jeweils einem Chip enthalten der AD7124-4 und der AD7124-8 eine vollständig integrierte Signalkette mit einem 24-Bit- A/D-Wandler, einem Programmable Gain Amplifier (PGA), einer Präzisionsreferenz, einem Referenzpuffer, Stromquellen, einem Temperatursensor und Speisequellen. Integrierte Diagnosefunktionen sorgen für SIL- Kompatibilität und reduzieren den Bedarf an diskreten Diagnosebauteilen, wodurch wertvolle Leiterplattenfläche gespart wird. Durchführungskondensatoren mit metrischem Gewinde Elektronische Produkte müssen Normen erfüllen, wenn sie auf dem Markt eingeführt werden. Die verschiedenen Umweltnormen, unter Anderem auch die CE-Konformitätsbewertung nach EN 61000-6, sind einzuhalten. Die genannte Norm besagt, dass hochfrequente Störaussendungen verhindert und die Immunität gegenüber hochfrequenten Störsignalen gegeben sein muss. Telemeter Electronic hat deshalb das Sortiment an Durchführungskondensatoren, die diese Aufgabe unterstützen, erweitert. Das Besondere an diesen Filtern ist, dass sie nicht wie üblich mit angloamerikanischen, sondern mit metrischen Gewinden versehen sind. Diese tubular aufgebauten Kondensatoren sind von M2,5 bis M8 mit Regelgewinden (je nach Modell nach ISO, DIN 13-1 oder DIN 13-2) lieferbar. Mit Kapazitäten von 100 pF bis 100 nF werden Störfrequenzen zwischen 1 MHz und einigen GHz unterdrückt. Der Nennstrom beträgt maximal 25 A, als Arbeitsspannung gibt der Hersteller maximal 100 V DC an. Neben Vorzugsmodellen werden auch maßgeschneiderte Baugruppen und Varianten, auf kundenspezifische Anwendung abgestimmt, entwickelt. ■ Telemeter Electronic GmbH HF@telemeter.de www.telemeter.info 40 hf-praxis 10/2015

Research & Development Imec Pushes the Boundaries of Gallium Nitride (GaN) Technology Partners Welcome to Collaborate on Extended R&D Offering and Bring GaN-based products to the Market World-leading nano-electronics research center imec announced today that it is extending its Gallium Nitride-on-Silicon (GaNon-Si) R&D program, and is now offering joint research on GaN-on-Si 200mm epitaxy and enhancement mode device technology. The extended R&D initiative includes exploration of novel substrates to improve the quality of the epitaxial layers, new isolation modules to increase the level of integration, and the development of advanced vertical devices. Imec welcomes new partners interested in next generation GaN technologies and companies looking for low-volume manufacturing of GaN-on-Si devices to enable the next generation of more efficient and compact power converters. GaN technology offers faster switching power devices with higher breakdown voltage and lower on-resistance than silicon, making it an outstanding material for advanced power electronic components. Imec’s R&D program on GaN-on-Si was launched to develop a GaN-on-Si process and bring GaN technology towards industrialization. Building on imec’s excellent track record in GaN epi-layer growth, new device concepts and CMOS device integration, imec has now developed a complete 200mm CMOS-compatible GaN process line. Imec’s GaN-on-Si technology is reaching maturity, and companies can gain access to the platform by joining imec’s GaN-on-Si industrial affiliation program (IIAP). The process line is also open to fabless companies interested in low-volume production of GaN-on-Si devices tailored to their specific needs, through dedicated development projects. Imec’s portfolio includes three types of buffers optimized for breakdown voltage and low traps-related phenomena (i.e. current dispersion): a step graded AlGaN buffer, a super lattice buffer, and a buffer with low-temperature AlN interlayers. Imec explored side-by-side enhancement mode power devices of the MISHEMT and p-GaN HEMT type, as well as a gate-edge terminated Schottky power diode featuring low reverse leakage and low turn-on voltage. The latest generation of imec enhancement mode power devices shows a threshold voltage beyond +2V, an on-resistance below 10 ohm mm and output current beyond 450 mA/mm. These devices represents the state of the art of enhancement mode power devices. In this next phase of the GaN program, imec is focusing on further improving the performance and reliability of its current power devices, while in parallel pushing the boundaries of the technology through innovation in substrate technology, higher levels of integration and exploration of novel device architectures. ■ IMEC www2.imec.be Test & Measurement New Series of Voltage-Controlled Variable Attenuators Skyworks announced new VVAs which are designed to have excellent third order input intercept point and superb dynamic range. The devices cover operation from 1.45 to 5 GHz, and have control voltages ranging from 0 to 5 V. The SKY12232-21, SKY12233-11, SKY12235-11 and SKY12236- 11 are optimized for use as low distortion, analog attenuators – centered at 1.95, 2.6, 3.15, and 3.8 GHz. These VVAs are ideal for automatic power leveling/ gain control circuits in 3G/4G LTE and WCDMA cellular base stations, IF chains, radar, and Satcom systems. They are also designed for broad market wireless systems including military communication transceivers, S-Band radar, and VSAT. Each is provided in a MCM 8-pin 4.9 x 3.2 x 1 mm package. Samples and evaluation boards are available. ■ Skyworks Solutions, Inc. sales@skyworksinc.com www.skyworksinc.com hf-praxis 10/2015 41

hf-praxis

PC & Industrie

© beam-Verlag Dipl.-Ing. Reinhard Birchel