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4-2016

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Fachzeitschrift für Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik

Design Bild 16: Foto des

Design Bild 16: Foto des endgültigen 50-W-Verstärkers für 0,5 – 2,5 GHz. Die kürzlich entwickelten nichtlinearen Modelle von Cree bieten Zugriff auf die Spannung und den Strom über den inneren (intrinsischen Generator). Es ist offensichtlich, dass dies einen viel tieferen Einblick und noch mehr Vielseitigkeit bei den Design-Methoden und Ansätzen eröffnet. Referenzen 1.Cripps, S.C., „A Theory for the Prediction of GaAs Load-Pull Power Contours”, IEEE-MTT- S lnt‘I. Microwave Symposium Digest, 1983, pp 221-223. 2. Steve C. Cripps, „GaAs FET Power Amplifier Design”, Matcom, Inc., Technical Note 3.2 3. Cripps, S.C., RF Power Amplifies for Wireless Communications, Artech House, 1999, ISBN 0-89006-989-1. 4. Abrie, Pieter L.D., Design of RF and Microwave Amplifiers and Oscillators, Artech House, 2009, ISBN 978-1-59693-098-8 5. MultiMatch Amplifier Design Wizard, Pretoria: Ampsa (Pty) Ltd.; http://www.ampsa.com. 6. Ivan Boshnakov, Anna Wood, Simon Taylor. „RF & Microwave Solid State Power Amplifier Design is a Speciality, ARMMS, April 2012 AWR Group, NI would like to thank Ivan Boshnakov for his contribution to this application note. ■ National Instruments AWR www.ni.com/AWR Bild 17: Die simulierte Klein- und Großsignal-Verstärkung (links) und die gemessene Klein- und Großsignal-Verstärkung (rechts) im Vergleich. Bild 18: Die simulierte (links) und die gemessene Psat (rechts). 34 hf-praxis 4/2016

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