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Produktion Erzeugung

Produktion Erzeugung ultradünner Ruthenium- Halbleiterschichten Mikro- produktion in h .ȯchster .ȧzision ochster .. Prazision Die 3D-Drucker von BMF erreichen Auflösungen von 2 bis 10 µm bei Toleranzen von +/- 10 bis 25 µm mit vielen Polymer- und Keramikmaterialen für Serienteile oder Prototypen. Interessiert? Muster, Versuchsteile oder unverbindliche Beratung gibt es hier: BMF3D.DE ........................................................................................... Besuchen Sie uns auf der Die neue zweistufige Atomlagenabscheidung erzeugt Halbleiterschichten mit geringem Widerstand und hoher Haltbarkeit – für leistungsfähigere Mikrochips der Zukunft. Tanaka stellte ein zweistufiges Filmabscheidungsverfahren vor, das den flüssigen Ruthenium- Präkursor TRuST verwendet. Was ist TRuST? TRuST ist ein Präkursor (ein Ausgangsprodukt für eine chemische Reaktion), der sehr gut sowohl mit Sauerstoff als auch mit Wasserstoff reagiert und hochwertige Rutheniumschichten bilden kann. Bei dem neuen Verfahren handelt es sich um eine zweistufige Atomlagenabscheidung (Atomic Layer Deposition, ALD), bei dem Wasserstoff für die Bildung eines dünnen Antioxidationsfilms und Sauerstoff für die Abscheidung eines hochwertigen Rutheniumfilms verwendet wird. Der zweistufige Prozess verhindert, dass das Substrat oxidiert, und sorgt gleichzeitig dafür, dass bei der Abscheidung der Wasserstoffschichten die Reinheit des Rutheniums nicht beeinträchtigt wird. Der Ruthenium-Präkursor von Tanaka hat den weltweit höchsten Dampfdruckwert – mehr als 100- mal höher als bei den Vorgängern. Dadurch erhöht sich die Konzentration in der Schichtabscheidungskammer und die Adsorptionsdichte der Moleküle auf der Substratoberfläche, wodurch eine hervorragende Schichtabdeckung und eine schnellere Abscheidung erreicht werden. Die Technologie ist ein wichtiger Fortschritt für die weitere Miniaturisierung und verbesserte Haltbarkeit von Halbleitern. Sie wird voraussichtlich überall dort zum Einsatz kommen, wo neue Technologien eine schnellere Datenverarbeitung erfordert – in Rechenzentren und in Smartphones ebenso wie für das Internet der Dinge und autonome Fahrzeuge. Das Verfahren wurde von Professor Soo- Hyun Kim von der School of Materials Science and Engineering, College of Engineering, der Yeungnam University in Südkorea vorgeschlagen. Die Entwicklung und Bewertung des Beschichtungsverfahrens erfolgte gemeinsam von Professor Kim und Tanaka Kikinzoku Kogyo. Zweistufige Schichtabscheidung Bislang war das einstufige Abscheiden von Schichten unter Frankfurt am Main, 15. - 18.11.2022 Halle 11.1 an Stand B38! Tanaka Precious Metals https://tanaka-preciousmetals.com Querschnitt des zweistufigen Films unter dem Rasterelektronenmikroskop 66 4/2022

Produktion Zweistufige Schichtabscheidung mit TRuST Verwendung von Sauerstoff das gängige Verfahren. Das zweistufige Verfahren zur Abscheidung von Schichten unter Verwendung von Sauerstoff und Wasserstoff ist daher ein Meilenstein. Es verringert das Risiko der Oberflächenoxidation, die normalerweise durch die Wasserstoffbeschichtung verursacht wird, und ermöglicht eine hochreine Beschichtung. Die Reinheit des Rutheniums bei der Sauerstoffbeschichtung liegt gleichbleibend bei fast 100%. Außerdem ist die Rutheniumschicht glatt und dicht und weist einen geringeren Widerstand auf als zuvor, da die Basis zuerst mit der Sauerstoffbeschichtung gebildet wird. Das Moore´sche Gesetz besagt, dass sich die Zahl der Halbleiterelemente auf Mikrochips etwa alle 18 Monate verdoppelt. Dazu müssen diese Elemente immer kleiner werden. Damit das gelingt, müssen folglich auch die Rutheniumschichten dünner werden. Allerdings nimmt normalerweise der elektrische Widerstand zu, wenn eine leitende Schicht dünner wird. Die zweistufige Schichtabscheidung ist der Ausweg aus diesem Dilemma. Weil dort zusätzlich zur Sauerstoffabscheidung auch Wasserstoff verwendet wird, sinkt der Widerstand sogar, obwohl die Schicht dünner wird, insbesondere bei Schichtdicken von 10 nm und darunter. Der Aufwand nimmt dadurch nicht zu, denn das Aufbringen des hochreinen Rutheniumfilms erfolgt für beide Stufen mit den gleichen Ausgangsstoffen und bei der gleichen Temperatur. Daher ist die Beschichtung mit derselben Beschichtungsanlage möglich. ◄ Step by step to full-scale automation at THT with sFAB-D of FUJI operator-free high secured insertion dark factory with no manual intervention world-leading technology FUJI EUROPE CORPORATION GmbH +49 (0)6107 6842-0 fec_info@fuji-euro.de www.fuji-euro.de FUJI_sFAB-D_210x148__01_2210_4c_en.indd 1 05.10.22 15:41 4/2022 67