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6-2013

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HF-Praxis 6/2013

Bauelemente Richtkoppler

Bauelemente Richtkoppler für 8,3 bis 9,7 GHz Bei dem Richtkoppler ZX30-14- 972HP+ von Mini-Circuits handelt es sich um eine Baugruppe, die bis zu 20 W dauernd verarbeiten kann. Dabei ist sie im Frequenzbereich von nominell 8,3 bis 9,7 GHz verwendbar, wobei die Einfügedämpfung typisch 0,6 dB beträgt und der Koppelfaktor nominell 14 dB. Der Richtkoppler besitzt ein Gehäuse mit 1x0,8 inch Footprint. Neben einer HF-Leistung bis zu 10 W kann der Koppler bis zu 500 mA DC führen. Die Anschlüsse haben 50 Ohm Impedanz bei einem Return Loss von mindestens 8 dB. Weitere technische Daten • Arbeitstemperaturbereich -40 bis +85 °C • Lagertemperaturbereich -55 bis +100 °C • Coupling Flatness 8,3…9,3 GHz typ. 0,5 dB, 9,3...9,7 GHz typ. 0,5 dB • Directivity 8,3...9,3 GHz min. 5 dB, typ. 7 dB, 9,3...9,7 GHz min. 4 dB, typ. 7 dB Bandpassfilter für 1,78 bis 1,98 GHz Das Bandpassfilter CBP-1880E+ von Mini-Circuits ist ein SMT- Baustein mit 50 Ohm Impedanz. Er verbindet eine geringe Einfügedämpfung mit hoher Unterdrückung ober- und unterhalb der Eckfrequenzen. Die nominelle Mittenfrequenz ist 1,88 GHz. Technisch handelt es sich um ein keramisches koaxiales Resonatorfilter. Das robuste Gehäuse hat die Abmessungen 0,638x0,434x0,105 Zoll und wirkt schirmend. Die Übertragungseigenschaften sind sehr temperaturstabil. Die HF-Eingangsleistung ist auf 6,3 W bei 25 °C begrenzt. Weitere technische Daten • Arbeitstemperaturbereich -40 bis +85 °C • Lagertemperaturbereich -55 bis +100 °C • E i n f ü g e d ä m p f u n g b e i 1,78...1,98 GHz typ. 1,5 dB, max. 3 dB • Dämpfung von DC bis 1,55 GHz min. 20 dB, typ. 37 dB • Dämpfung von 2,15 bis 3,3 GHz min. 20 dB, typ. 30 dB Vierfacher Power Splitter bzw. Combiner Der in Quadrilar-Technik hergestellte Baustein SCQA-4-162+ von Mini Circuits teilt ein HF- Signal im Bereich 1,2 bis 1,6 GHz gleichmäßig in vier Teile auf oder führt vier HF-Signale zusammen. Die Einzelsignale sind mit typisch 22 dB voneinander isoliert. Die Phasenverhältnisse werden ebenfalls kaum beeinflusst, 3° Phasen-Unsymmetrie sind typisch, 10° sind maximal möglich. Die Signale haben untereinander jedoch nominell 90° Phasenversatz. Weitere technische Daten • Arbeitstemperaturbereich -40 bis +85 °C • Lagertemperaturbereich -55 bis +100 °C • Einfügeverlust max. 200 mW • Einfügedämpfung typ. 1,5 dB, max. 2,8 dB • Isolation min. 18 dB • SWR Port S typ. 1,2, sonst typ. 1,4 Breitbandiger Limiter MHz und weist eine Einfügedämpfung von typisch 0,2 dB auf (SW typ. 1,2). Er reagiert mit einer typischen Recovery Time von 3,7 ns sehr schnell. Der lineare Bereich (bis 0,1 dB Kompression) wird mit maximal -10 dBm angegeben. Weitere technische Daten • Arbeitstemperaturbereich -40 bis +85 °C • Lagertemperaturbereich -55 bis +100 °C • Eingangsleistung max. 2 W • Insertion Loss max. 0,7 dB • Input Power für Begrenzung auf max. 1 dB Kompression min. 9 dBm, max. 32 dBm • Output Power bei Begrenzung typ. 7 dBm Bias Tree (DC- Speiseweiche) Beim TCBT-14R+ von Mini Circuits handelt es sich um eine Einspeiseweiche für einen DC-Versorgungsstrom auf eine HF-führende Leitung. Neben der Drossel enthält die Weiche einen DC-Trennkondensator, sodass ein externer Kondensator entfallen kann. Extern wird ein Abblockkondensator an Pin 4 empfohlen. Die HF-Leistung über das Bauelement kann maximal 30 dBm betragen. Der Baustein verursacht eine Einfügedämpfung von typisch 0,6 dB. Weitere technische Daten • Arbeitstemperaturbereich -40 bis +85 °C • Lagertemperaturbereich -55 bis +100 °C • Gleichspannung max. 25 V • Gleichstrom max. 200 mA • Isolation 10 MHz bis 10 GHz min. 15 deB, typ. 33 dB • Gleichstrom-Widerstand typ. 1 Ohm Der Begrenzer RLM-521-2WL+ arbeitet im Bereich 0,5 bis 520 ■ Mini Circuits www.minicircuits.com 42 hf-praxis 6/2013

Bauelemente MEMS-Oszillatoren für 32,768 kHz kann darüber hinaus der aussteuerungsabhängige Stromverbrauch reduziert werden. Dadurch ergibt sich eine sehr geringe Gesamtstromaufnahme ab 750 nA. Neu im Vertriebsprogramm von SE Spezial-Electronic sind MEMS-Oszillatoren SiT15xx für Frequenzen im Kilohertzbereich. Die innovativen Produkte des Halbleiterherstellers SiTime eignen sich besonders für den Ersatz von 32,768-kHz- Schwingquarzen. Die Oszillatoren sind in sechs Versionen verfügbar: • SiT153x: 1,2 bis 3,63 V (gepufferte Versorgungen) • SiT154x: 2,7 bis 4,5 V (ungeregelte Li-Ion-Batterie) • SiT15x2: 32,768 kHz, Gehäuse 1,5x0,8 mm 2 CSP • SiT15x3: 32,768 kHz, Gehäuse 2x1,2 mm 2 SMD • SiT15x4: 1 Hz bis 32,768 kHz, CSP und SMD Die Oszillatoren SiT15xx haben einen Nano-Drive-Ausgang, dessen Kopplungsart (AC oder DC), Signalhub (Rail-to-Rail bzw. 250 bis 800 mV) und Signalpegel (bei DC-Kopplung) programmiert werden können. Das erlaubt eine optimale Anpassung an die Eigenschaften des Takteingangs. Mit dem Signalhub Wird ein Schwingquarz durch einen der neuen MEMS-Oszillatoren von SiTime ersetzt, kann auf Kondensatoren an den Taktanschlüssen verzichtet werden. Stabilitäten von 20ppm (25 °C), 75ppm (-10 bis +70 °C) und 100 ppm (-40 bis +85 °C) erlauben in vielen Applikationen auch eine Verwendung als Zeitbasis. Die Oszillatorversionen im Gehäuse SMD-2012 haben Anschlüsse, die weitgehend kompatibel sind zu den üblichen Layouts für Schwingquarze mit vergleichbaren Abmessungen. ■ SE Spezial-Electronic AG www.spezial.com Stecker, Kabel und Antennen Alles aus einer Hand – Ihr Vorteil ! Made in Italy ! High-Performance Chips jetzt als SMDs BeRex Inc. (Vertrieb: Globes) liefert die GaAs-pHEMT (pseudomorphic High-Electron Mobility Transistor) der Serie BCP, die es bislang nur als Chip gab, jetzt auch in einem SMT-Keramikgehäuse 70 MIL (1,77 mm) für den Einsatz in der Serienfertigung. Die neuen Transistoren BCP020T-70, BCP030T-70, BCP060-70 und BCP080T-70 mit einer Gatelänge von 0,25 µm und Gatebreiten von 200, 300, 600 und 800 µm liefern Ausgangsleistungen von 0,13 bis 0,5 W von 1 bis 27 GHz. Diese Transistoren, die für geringstes Rauschen, hohe Verstärkung und sehr gute Power Added Efficiency bekannt sind, eignen sich sehr gut für rauscharme VHF/ UHF-Verstärker, sowohl für Radar und Kommunikationanwendungen. Die neuen gehäusten Transistoren werden wie ihre Chipversionen in den USA mit modernsten Prozessen gefertigt. Dies garantiert höchste Zuverlässigkeit und lange Lebenszeit und lässt jetzt auch einfachere Verarbeitung in verschiedenen Fertigungsprozessen zu. ■ Globes GmbH www.globes.de www.electrade.com anfrage@electrade.com Postfach 1743 Tel.: 0 89 / 8 98 10 50 D - 82159 Gräfelfing Fax: 0 89 / 8 54 49 22 hf-praxis 6/2013 43 AnzBelco 91x132mm_2012.indd 3 24.09.12 11:57

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