7-2025

AktuellesMilexia

AktuellesMilexia Deutschland erhält EcoVadis 2025 GOLD MedailleMilexia Deutschland wurdeim Mai dieses Jahres mit derEcoVadis GOLD Medaille ausgezeichnet.Damit gehört dasUnternehmen zu den Top 5%weltweit im Bereich der unternehmerischenNachhaltigkeit.Diese renommierte Auszeichnungwürdigt das kontinuierlicheEngagement des Unternehmensfür nachhaltiges Wirtschaftenund verantwortungsvollesHandeln.Als Value-Add Distributor legtMilexia Deutschland großenWert darauf, den ökologischenFußabdruck zu minimieren undnachhaltiges Handeln fest in dastägliche Management zu integrieren.Ziel ist es, Initiativen zurStärkung von Umwelt-, ArbeitsundMenschenrechten, Ethiksowie nachhaltiger Beschaffungkontinuierlich auszubauen.„Die Auszeichnung mit der Eco-Vadis GOLD Medaille zeigtunseren Fortschritt, den wirseit der letzten Auszeichnungmit der EcoVadis BRONZEMedaille erreicht haben. Wirsind stolz darauf, zu den Top5% der Unternehmen zu zählen,die ihre ehrgeizigen Nachhaltigkeitszieleerreicht haben“, erklärtTiar Nda- Ngye, Chief FinancialOfficer bei Milexia Deutschlandund hauptverantwortlich für denBereich Nachhaltigkeit beimHeilbronner Unternehmen. „DieAuszeichnung gibt uns zusätzlichenAnsporn, uns weiter zuverbessern und gemeinsam mitunseren Partnern eine nachhaltigereZukunft zu schaffen.“EcoVadis ist einer der weltweitführenden Anbieter vonNachhaltigkeitsratings undhat mehr als 150.000 Unternehmenaus mehr als 250Branchen in über 185 Ländernbewertet. Das EcoVadis-Ratingumfasst 21 Kriterien in denBereichen Umwelt, Arbeits- undMenschen rechte, Ethik sowienachhaltige Beschaffung.Mit dem Erhalt der Eco VadisGOLD Medaille bestätigtMilexia Deutschland seine Fortschrittein nachhaltiger Unternehmensführungund setzt einwichtiges Zeichen für einezukunftsorientierte Geschäftspraxis. Milexia Deutschlandwww.milexia.com/deRF-Silizium-Interposer-Plattform für Chiplet-basierte heterogene IntegrationAuf der IEEE ECTC 2025 Konferenz stelltimec die außergewöhnliche Leistung undFlexibilität seiner 300-mm-RF-Silizium-Interposer-Plattform vor. Diese ermöglichtdie nahtlose Integration von RF-zu-Sub-THz-CMOS- und III/V-Chips auf einemeinzigen Träger und erreicht eine rekordverdächtigniedrige Einfügedämpfungvon nur 0,73 dB/mm bei Frequenzen biszu 325 GHz. Dieser Fortschritt ebnet denWeg für kompakte, verlustarme und skalierbareRF- und Mixed-Signal-Systemeder kommenden Generation.Hintergrund: Auf der Suche nach fortschrittlichenAnwendungen – von drahtlosenDatenzentren und hochauflösendemKfz-Radar bis hin zu steckbaren optischenTransceivern und drahtlosen Ultra-High-Speed-USB-Lösungen für die Kurzstreckenkommunikationzwischen Geräten – verlagertsich die Dynamik der Branche raschin die mmWellen- (30...100 GHz) und Sub-THz-Frequenzbänder (100...300 GHz).Um das Potenzial dieser höheren Frequenzenzu erschließen, sind jedochKomponenten erforderlich, die die hoheAusgangsleistung und die Ansteuerungsmöglichkeitenvon III/V-Materialien mitder Skalierbarkeit und Kosteneffizienz derCMOS-Technologie kombinieren – und dasalles integriert auf einem einzigen Träger.Hier machen chiplet-basierte hetero geneSysteme, die auf der RF-Silizium- Interposer-Technologieaufbauen, den Unterschied,denn sie ermöglichen die nahtloseIntegration von digitalen und RF-Komponenten.Auf der letztjährigen IEDM meldete imeceinen Durchbruch bei der Hetero-Integrationvon InP-Chips auf einem 300-mm-RF-Si-Interposer – bei Frequenzen biszu 140 GHz. Jetzt, auf der ECTC 2025,zeigt imec einen neuen Meilenstein: Mitder gleichen Si-Interposer-Plattform hates eine rekordverdächtig niedrige Einfügedämpfungvon nur 0,73 dB/mm beiFrequenzen bis 325 GHz nachgewiesen.Die digitalen Verbindungen der Plattformprofitieren von der Cu-Damascene-Back-End-of-Line-Verarbeitung (BEOL),während die mmWave-Signalwege Übertragungsleitungenauf einer verlustarmenRF-Polymerschicht verwenden. Darüberhinaus werden hochwertige passive Komponenten– wie z.B. Induktivitäten – direktauf dem RF-Silizium-Interposer integriert,was die aktive Chipfläche reduziert, dieKosten senkt und kompakte, verlustarmeRF-Verbindungen für eine verbesserteLeistung gewährleistet.Die Technologie von Imec kombiniert HF-/Mikrowellen-Verbindungen (mit 5 µm325-GHz-RF-Si-Interposer-Plattform für fortschrittlichechiplet-basierte heterogene SystemeLeitungsbreite und 5 µm Abstand) mithochdichten digitalen Verbindungen (mit1 µm/1 µm Leitung/Abstand) und einemfeinen Flip-Chip-Abstand von 40 µm –wobei eine Skalierung auf 20 µm in Vorbereitungist. Zusammen ermöglichen dieseMerkmale eine hohe Integrationsdichteund eine kompakte Grundfläche.Im nächsten Schritt bereiten Xiao Sun undihr Team die Erweiterung der Plattformum zusätzliche Funktionen vor, darunterDurchkontaktierungen durch das Silizium,rückseitige Redistributionsschichten undMIMCAPs zur Entkopplung der Stromversorgung.Parallel dazu geht es darum, dieRF-Interposer-F&E-Plattform für Partnerzur frühen Bewertung, Systemvalidierungund Prototyping zu öffnen. Imecwww.imec-int.com6 hf-praxis 7/2025

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